题目内容：
下列关于PN结整流效应的说法中，错误的是（）。
A.能够将交流电转变成直流电
B.只允许电流从一个方向流过
C.低频整流特性较差
D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
参考答案：
选择题：下列关于PN结整流效应的说法中，错误的是（）。
- 题目分类：中国大学MOOC慕课
- 题目类型：选择题
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pn结加负偏压时，是以势垒电容为主。
pn结加负偏压时，是以势垒电容为主。这是一个关于电容 偏压 半导体器件原理与仿真设计的相关问题，下面我们来看
双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（）
双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（）这是一个关于晶体管 输入输出 半导体器件原理与仿真设计的相关问题，下面我们来看
晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成（）发生，基极电流的相位（）于发射极电流的变化（）。
晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成（）发生，基极电流的相位（）于发射极电流的变化（）。这是一个关于电流 发射极 半导体器件原理与仿真设计的相关问题，下面我们来看
流过晶体管结电阻的发射极电流（）被集电区接收，流过发射极扩散电容的发射极电流（）被集电区接收（）。
流过晶体管结电阻的发射极电流（）被集电区接收，流过发射极扩散电容的发射极电流（）被集电区接收（）。这是一个关于电流 发射极 半导体器件原理与仿真设计的相关问题，下面我们来看
以下影响晶体管共基极电流放大系数截止频率的时间常数是（）。
以下影响晶体管共基极电流放大系数截止频率的时间常数是（）。这是一个关于晶体管 基极 半导体器件原理与仿真设计的相关问题，下面我们来看