选择题:在某温度范围内,一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大,涉及的物理机理有()。 题目分类:中国大学MOOC慕课 题目类型:选择题 号外号外:注册会员即送体验阅读点! 题目内容: 在某温度范围内,一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大,涉及的物理机理有()。 A.电离杂质散射为主B.晶格散射为主C.本征激发起主要作用D.杂质完全电离 参考答案:【答案仅供学习,请勿对照自行用药等】
由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时,已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度,则可能的原因有()。 由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时,已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度,则可能的原因有()。这是一个关于半导体 偏压 半导体物理的相关问题,下面我们来看 分类:中国大学MOOC慕课 题型:选择题 查看答案
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