题目内容：
硅片键合技术主要是由于吸附在被氧化的两个硅表面的羟基团吸引形成氢键所致。
A.正确
B.错误
参考答案：
硅片键合技术主要是由于吸附在被氧化的两个硅表面的羟基团吸引形成氢键所致。(未分类)
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